数据中心高压架构：SiC 向左，GaN 向右

中金认为 2026 年是数据中心高压架构落地元年。AI 机柜功率从 Hopper 约 40kW、Blackwell GB300 NVL72 约 140kW，走向 Rubin 超 200kW、2027 年 Kyber 超 600kW、2028 年 Feynman 突破 1MW，相比传统 7kW 机柜功率标准接近 140 倍提升。低压交流架构在电流、铜耗、变换级数、散热、占地和可靠性上同步碰壁。

中金测算，2030 年单 MW 数据中心对应 SiC/GaN 器件分别约 1.0/2.1 万颗，单 MW 价值量约 22 万/4.9 万美元。架构演进上，2026/2027 年先由 800VDC sidecar 过渡，Phase 1 SiC 用量约 1594 颗/MW；Phase 2 中 GaN 在 on-blade power module 中大规模替代部分 SiC，GaN 用量约 10,303-10,667 颗/MW，SiC 仍在高压保护和固态断路器中保留刚需。