HBM
各作者观点时间线
2026-05-25 2026-05-25：（一起发财·看多）中长期看多 GPU-HBM 光互连，但标准封装方案仍在远期，2026-2029 年更现实的机会在板级 CPO、光学 Bridge 概念验证和 InP 激光源材料链。 — HBM 正逐步逼近垂直堆叠、硅中介层岸线、微凸块 pitch 和功耗密度四重物理极限。HBM4 计划进入 16-20 层，但 16 层 TSV 深宽比约 20:1 已接近电镀铜填充工艺边缘；12 层堆叠时底层 die 结温比顶层高约 15°C，若到 20 层温差可能超过 25°C，热阻成为硬约束。GPU die 即使做到 reticle 极限，周长约 130mm，理论可放约 32 个 HBM4 堆栈接口，但实际受电源、信号走线和角落利用率约束，可行数量被压在 16-20 个以内。光互连的价值在于把带宽从“必须紧邻”的电互连约束中释放出来，让 HBM 可以远离 GPU 岸线，或进一步进入 CXL ｜ 证伪：HBM 堆叠、散热或中介层继续通过传统工程优化延长生命周期，光互连激光源良率/成本长期无法改善，或 CXL 记忆体池在训练和推理中延迟代价不可接受。 2026-06-11 2026-06-11：（Glance·看多）HBM4价格预期是Rubin成本高于媒体口径的核心差异。 — Bernstein认为媒体8百万美元单柜口径使用了旧HBM价格；若HBM4从约16.6美元/GB升至2027年的53美元/GB，内存/存储成本接近320万美元，显著高于旧价格隐含的200万美元。 ｜ 证伪：若HBM4供给释放快于Rubin需求，价格无法接近53美元/GB，HBM价值量弹性需下修。 2026-06-12 2026-06-12：（Glance·看多）SK海力士多家设备一级供应商提涨价3-4% 2026-07-01 2026-07-01：（Glance·看多）存储紧缺从AI扩散到消费电子，上游设备材料继续重估 — 春秋称韩国2035年前全产业链投资超1000万亿韩元，新建4座晶圆厂投资800万亿韩元，AI数据中心专项550万亿韩元；五年内DRAM产能翻倍。 ｜ 证伪：若2026Q3前存储价格停止上涨、苹果/腾讯采购线索落空，且韩国扩产没有转化为设备材料订单，则上游重估逻辑降级。
关键数据汇总
（待填写）